Каталог товаров
Назад

SI4488DY-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
540
  • 1 шт
    540 ₽
  • 10 шт
    370 ₽
  • 100 шт
    265 ₽
  • 500 шт
    219 ₽
  • 1000 шт
    204 ₽
  • 2500 шт
    200 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 540
При покупке кэшбэк 81 балл


SI4488DY-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 1.56W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 150V
Ток стока (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 1.56W (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 150V
Ток стока (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

SI4488DY-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SI4488DY-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI4488DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Недавно просмотренные


Сопутствующие товары
Analog Devices Inc.
IC MOSFET DVR 4A DL HS 8SOIC
1 шт.
2358 шт.
от 311 ₽
+ 116625 баллов

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
542 шт.
от 21.8 ₽
+ 9810 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14510 шт.
от 20 ₽
+ 90000 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
652957 шт.
от 15 ₽
+ 168750 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
690631 шт.
от 15 ₽
+ 168750 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
942 шт.
от 21 ₽
+ 9450 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1279 шт.
от 12.6 ₽
+ 1890 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
884 шт.
от 15.3 ₽
+ 6885 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
1830 шт.
от 11.8 ₽
+ 5310 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
296 шт.
от 13.3 ₽
+ 5985 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1614 шт.
от 13.8 ₽
+ 6210 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
2488 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
1 шт.
61 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов