SI4488DY-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	1.56W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-SO
Рассеивание мощности (Макс)	1.56W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3 характеристики