SI3585DV-T1-E3 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP, Vishay Siliconix

SI3585DV-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	830mW
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	SI3585
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	830mW
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	SI3585
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-