SI3552DV-T1-E3 от 64 руб, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А, Vishay Siliconix

SI3552DV-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.15W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	SI3552
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.15W
Исполнение корпуса	6-TSOP
Base Part Number	SI3552
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-