SI3473DDV-T1-GE3 от 100 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А, Vishay Siliconix

SI3473DDV-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen III
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen III
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-TSOP
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V