SI2347DS-T1-GE3 от 67 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23, Vishay Siliconix

SI2347DS-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	1.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 3.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	705pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3
Рассеивание мощности (Макс)	1.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 3.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	705pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V