SI2319DS-T1-E3 от 1408 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А, Vishay Siliconix

SI2319DS-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-23-3 (TO-236)
Рассеивание мощности (Макс)	750mW (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V