Каталог товаров
Назад

SI1903DL-T1-E3

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6


SI1903DL-T1-E3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 270mW
Исполнение корпуса SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number SI1903
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 995 mOhm @ 410mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 270mW
Исполнение корпуса SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number SI1903
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 995 mOhm @ 410mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

SI1903DL-T1-E3

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
SI1903DL-T1-E3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SI1903DL-T1-E3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SI1903DL-T1-E3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI1903DL-T1-E3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 2085.04 ₽
+ 313
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1872.19 ₽
+ 281
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 1499.13 ₽
+ 225
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 2206.35 ₽
+ 331
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 2158.28 ₽
+ 324
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 1725.71 ₽
+ 259
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
63 шт.
от 1567.79 ₽
+ 235
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 1604.41 ₽
+ 241
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
635 шт.
от 1572.37 ₽
+ 236
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 1489.97 ₽
+ 223
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
30 шт.
от 1341.2 ₽
+ 201
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
18 шт.
от 2345.96 ₽
+ 352