SI1900DL-T1-GE3 от 152 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 630мА; Idm: 1А, Vishay Siliconix

SI1900DL-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW, 270mW
Исполнение корпуса	SC-70-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	630mA (Ta), 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 590mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	300mW, 270mW
Исполнение корпуса	SC-70-6
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	630mA (Ta), 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 590mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-