SI1563DH-T1-GE3 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6, Vishay Siliconix

SI1563DH-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	570mW
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1563
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.13A, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	570mW
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1563
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.13A, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-