SI1553DL-T1 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 20V SC70-6, Vishay Siliconix

SI1553DL-T1 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	270mW
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1553
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	270mW
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1553
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-