SI1539DL-T1-E3 от 45.79 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 30V SC70-6, Vishay Siliconix

SI1539DL-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	270mW
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1539
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 590mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	270mW
Исполнение корпуса	SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number	SI1539
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 590mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-