S70JR характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis, Stud Mount
Корпус	DO-203AB, DO-5, Stud
Исполнение корпуса	DO-5
Тип диода	Standard, Reverse Polarity
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	70A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.1V @ 70A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	10µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	600V
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 180°C
Емкость @ Vr, F	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis, Stud Mount
Корпус	DO-203AB, DO-5, Stud
Исполнение корпуса	DO-5
Тип диода	Standard, Reverse Polarity
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	70A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.1V @ 70A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	10µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	600V
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 180°C
Емкость @ Vr, F	-

S70JR

S70JR характеристики