S6QR характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis, Stud Mount
Корпус	DO-203AA, DO-4, Stud
Исполнение корпуса	DO-4
Тип диода	Standard, Reverse Polarity
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	6A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.1V @ 6A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	10µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1200V
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 175°C
Емкость @ Vr, F	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis, Stud Mount
Корпус	DO-203AA, DO-4, Stud
Исполнение корпуса	DO-4
Тип диода	Standard, Reverse Polarity
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	6A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	1.1V @ 6A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	10µA @ 100V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	1200V
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 175°C
Емкость @ Vr, F	-

S6QR

S6QR характеристики