Каталог товаров
Назад

RN1701JE(TE85L,F)

  • Описание
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
83
  • 1 шт
    83 ₽
  • 10 шт
    52 ₽
  • 100 шт
    32.4 ₽
  • 500 шт
    24 ₽
  • 1000 шт
    21.4 ₽
  • 2000 шт
    19 ₽
  • 4000 шт
    17.2 ₽
  • 8000 шт
    15.6 ₽
  • 12000 шт
    14.8 ₽
  • 20000 шт
    14 ₽
  • 28000 шт
    13.3 ₽
  • 40000 шт
    12.8 ₽
  • 100000 шт
    11.8 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 83
При покупке кэшбэк 12 баллов


RN1701JE(TE85L,F) характеристики

Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Серия -
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-553
Рассеивание мощности 100mW
Исполнение корпуса ESV
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 100mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Обратный ток коллектора (Max) 100nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Трансформация частоты 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
  • Производитель
    Toshiba Semiconductor and Storage

Характеристики

Производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Серия -
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-553
Рассеивание мощности 100mW
Исполнение корпуса ESV
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 100mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Обратный ток коллектора (Max) 100nA (ICBO)
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Трансформация частоты 250MHz
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms

RN1701JE(TE85L,F)

  • Описание
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Toshiba Semiconductor and Storage

Бесплатная доставка RN1701JE(TE85L,F) по России

Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить RN1701JE(TE85L,F) с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
10,000 шт.
10000 шт.
от 12.5 ₽
+ 9375 баллов
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
3,000 шт.
2985 шт.
от 8.4 ₽
+ 18900 баллов
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
10,000 шт.
10000 шт.
от 8.4 ₽
+ 25200 баллов
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
3,000 шт.
3000 шт.
от 8.4 ₽
+ 18900 баллов
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
3,000 шт.
2985 шт.
от 9.2 ₽
+ 207000 баллов
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
10,000 шт.
10000 шт.
от 11 ₽
+ 115500 баллов
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
3,000 шт.
3000 шт.
от 11 ₽
+ 123750 баллов
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
10,000 шт.
19785 шт.
от 8.4 ₽
+ 126000 баллов
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
3,000 шт.
2840 шт.
от 8.4 ₽
+ 18900 баллов
ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated
PREBIAS TRANSISTOR SOT363
3,000 шт.
2420 шт.
от 8.4 ₽
+ 189000 баллов
Diodes Incorporated
IC TRANSISTOR SOT363
1 шт.
3409 шт.
от 8 ₽
+ 120000 баллов
Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
1 шт.
2631 шт.
от 34 ₽
+ 5100 баллов