QJD1210SA1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Powerex Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	520W
Исполнение корпуса	Module
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 100A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 34mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8200pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Powerex Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	520W
Исполнение корпуса	Module
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C	100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 100A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 34mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8200pF @ 10V

QJD1210SA1

QJD1210SA1 характеристики