PSMNR70-30YLHX характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-100, SOT-669
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK56, Power-SO8
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4.852nF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-100, SOT-669
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	175°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK56, Power-SO8
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4.852nF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (Max)	-

PSMNR70-30YLHX

PSMNR70-30YLHX характеристики