PSMN6R1-25MLDX характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK33
Рассеивание мощности (Макс)	42W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.24 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	702pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK33
Рассеивание мощности (Макс)	42W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.24 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	702pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

PSMN6R1-25MLDX

PSMN6R1-25MLDX характеристики