PSMN5R6-100XS,127 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	61.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8061pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220F
Рассеивание мощности (Макс)	60W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	61.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8061pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

PSMN5R6-100XS,127

PSMN5R6-100XS,127 характеристики