PSMN4R1-60YLX характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-100, SOT-669
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK56, Power-SO8
Рассеивание мощности (Макс)	238W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7853pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Nexperia USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-100, SOT-669
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	LFPAK56, Power-SO8
Рассеивание мощности (Макс)	238W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7853pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

PSMN4R1-60YLX

PSMN4R1-60YLX характеристики