PMWD26UN,518 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1366pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1366pF @ 16V

PMWD26UN,518

PMWD26UN,518 характеристики