PMV30UN,215 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-236AB (SOT23)
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

PMV30UN,215

PMV30UN,215 характеристики