PMR290XN,115 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-75, SOT-416
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-75
Рассеивание мощности (Макс)	530mW (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	970mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	34pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	TrenchMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-75, SOT-416
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-75
Рассеивание мощности (Макс)	530mW (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	970mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	34pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

PMR290XN,115

PMR290XN,115 характеристики