Описание

PMPB25ENEA/SOT1220/SOT1220

Отправить запрос

PMPB25ENEAX характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN2020MD (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.08W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	607pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Документация

Datasheetpdf, 5,75 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-DFN2020MD (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	2.08W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	607pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

PMPB25ENEAX

Описание

PMPB25ENEA/SOT1220/SOT1220

Документация

Datasheetpdf, 5,75 KB

Бесплатная доставка PMPB25ENEAX по России

Транзисторы — полевые — одиночные PMPB25ENEAX Nexperia USA Inc. доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить PMPB25ENEAX с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.