PMDXB1200UPEZ от 39 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А, Nexperia USA Inc.

PMDXB1200UPEZ характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	285mW
Исполнение корпуса	DFN1010B-6
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	43.2pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	285mW
Исполнение корпуса	DFN1010B-6
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	43.2pF @ 15V