PMCXB900UEZ от 43 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 400/-300мА; ESD, Nexperia USA Inc.

PMCXB900UEZ характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	265mW
Исполнение корпуса	6-DFN (1.1x1)
Тип полевого транзистора	N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	600mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	265mW
Исполнение корпуса	6-DFN (1.1x1)
Тип полевого транзистора	N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	600mA, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21.3pF @ 10V