Описание

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт; TO252AA

123 ₽

1802 шт
5-6 недель

1 шт

123 ₽
10 шт

82 ₽
100 шт

56 ₽
500 шт

44 ₽
1000 шт

40 ₽
3000 шт

32.4 ₽
9000 шт

30 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 123 ₽
При покупке кэшбэк 18 баллов

Добавить в корзину

PJD35P03_L2_00001 характеристики
Корпус	TO252AA
Тип транзистора	P-MOSFET
Заряд затвора	11нC
Монтаж	SMD
Вид упаковки	бобина
Напряжение сток-исток	-30В
Ток стока	-35А
Сопротивление в открытом состоянии	30мОм
Рассеиваемая мощность	35Вт
Полярность	полевой
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	±20В
Ток стока в импульсном режиме	-140А

Производитель

Panjit

Документация

Datasheetpdf, 4,13 KB

Характеристики	Выбрать все
Корпус	TO252AA
Тип транзистора	P-MOSFET
Заряд затвора	11нC
Монтаж	SMD
Вид упаковки	бобина
Напряжение сток-исток	-30В
Ток стока	-35А
Сопротивление в открытом состоянии	30мОм
Рассеиваемая мощность	35Вт
Полярность	полевой
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	±20В
Ток стока в импульсном режиме	-140А

PJD35P03_L2_00001

Описание

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт; TO252AA

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

Panjit

Документация

Datasheetpdf, 4,13 KB

Бесплатная доставка PJD35P03_L2_00001 по России

Разное PJD35P03_L2_00001 доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить PJD35P03_L2_00001 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.