PI2LVD412ZHEX характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	42-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	42-TQFN (9x3.5)
Количество схем	4
Base Part Number	PI2LVD412
Полоса пропускания -3 дБ	1.8GHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	900 mOhm (Typ)
Напряжение питания (V+)	1.5 V ~ 2 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	8ns, 4ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	-
Перекрёстные помехи	-68dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	42-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	42-TQFN (9x3.5)
Количество схем	4
Base Part Number	PI2LVD412
Полоса пропускания -3 дБ	1.8GHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	900 mOhm (Typ)
Напряжение питания (V+)	1.5 V ~ 2 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	8ns, 4ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	-
Перекрёстные помехи	-68dB @ 10MHz

PI2LVD412ZHEX

PI2LVD412ZHEX характеристики