PBSS4350SPN,115 Транзисторы — биполярные — массивы, TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO, Nexperia USA Inc.

PBSS4350SPN,115 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	750mW
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	PBSS4350SPN
Тип транзистора	NPN, PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	2.7A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	50V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A
Обратный ток коллектора (Max)	100nA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V
Трансформация частоты	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	750mW
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	PBSS4350SPN
Тип транзистора	NPN, PNP
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	2.7A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	50V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic	340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A
Обратный ток коллектора (Max)	100nA
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce	300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V
Трансформация частоты	-