NX3V1T66GM,115 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-XFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Количество схем	1
Base Part Number	NX3V1T66G
Полоса пропускания -3 дБ	25MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	450 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.4 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	28ns, 20ns
Инжекция заряда	12pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	70pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10nA
Перекрёстные помехи	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	6-XFDFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Количество схем	1
Base Part Number	NX3V1T66G
Полоса пропускания -3 дБ	25MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	450 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.4 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	28ns, 20ns
Инжекция заряда	12pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	70pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10nA
Перекрёстные помехи	-

NX3V1T66GM,115

NX3V1T66GM,115 характеристики