NX3L2267GM,115 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-XFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	10-XQFN (1.55x2)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	60MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	750 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.4 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	90 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	40ns, 20ns
Инжекция заряда	37pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	35pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10nA
Перекрёстные помехи	-90dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-XFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	10-XQFN (1.55x2)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	60MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	750 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.4 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	90 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	40ns, 20ns
Инжекция заряда	37pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	35pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10nA
Перекрёстные помехи	-90dB @ 100kHz

NX3L2267GM,115

NX3L2267GM,115 характеристики