Каталог товаров
Назад

NVTJD4001NT1G

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
84
цена с НДС
  • 1 шт
    84 ₽
  • 10 шт
    52 ₽
  • 100 шт
    33 ₽
  • 500 шт
    24.5 ₽
  • 1000 шт
    22 ₽
  • 3000 шт
    17.3 ₽
  • 6000 шт
    15.7 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 84
При покупке кэшбэк 12 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

NVTJD4001NT1G характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 272mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V
  • Производитель
    onsemi

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 272mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V

NVTJD4001NT1G

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим NVTJD4001NT1G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NVTJD4001NT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NVTJD4001NT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
ON Semiconductor
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
102319 шт - 4-6 недель
от 74 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 11

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
60 шт - 4-6 недель
от 1957 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
48 шт - 4-6 недель
от 1828 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 274
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1418 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 213
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
28 шт - 4-6 недель
от 1957 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 294
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
18 шт - 4-6 недель
от 1828 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 274
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1283 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
479 шт - 4-6 недель
от 1978 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 297
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1886 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 283
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
164 шт - 4-6 недель
от 1271 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 191
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
30 шт - 4-6 недель
от 1430 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 215
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
119 шт - 4-6 недель
от 1250 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 188
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1430 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 215