Каталог товаров
Назад

NVTJD4001NT1G

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
89
цена с НДС
  • 1 шт
    89 ₽
  • 10 шт
    55 ₽
  • 100 шт
    34.6 ₽
  • 500 шт
    26 ₽
  • 3000 шт
    26 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 89
При покупке кэшбэк 13 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

NVTJD4001NT1G характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 272mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V
  • Производитель
    onsemi

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 272mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V

NVTJD4001NT1G

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим NVTJD4001NT1G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NVTJD4001NT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NVTJD4001NT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
ON Semiconductor
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
101140 шт - 4-6 недель
от 78 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 12

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
35 шт - 4-6 недель
от 2068 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 310
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
42 шт - 4-6 недель
от 1932 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 290
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
17 шт - 4-6 недель
от 1932 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 290
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
28 шт - 4-6 недель
от 1499 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 225
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
454 шт - 4-6 недель
от 2169 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 325
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
24 шт - 4-6 недель
от 2090 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 314
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
1398 шт - 4-6 недель
от 1510 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 227
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1510 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 227
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
1638 шт - 4-6 недель
от 1584 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 238
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
1205 шт - 4-6 недель
от 1613 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 242
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
106 шт - 4-6 недель
от 1398 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
7 шт - 4-6 недель
от 2155 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 323