Каталог товаров
Назад

NVTJD4001NT1G

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
74
цена с НДС
  • 1 шт
    74 ₽
  • 10 шт
    34 ₽
  • 100 шт
    20 ₽
  • 500 шт
    19.8 ₽
  • 1000 шт
    18 ₽
  • 3000 шт
    13.5 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 74
При покупке кэшбэк 11 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

NVTJD4001NT1G характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 272mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V
  • Производитель
    onsemi

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 272mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V

NVTJD4001NT1G

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим NVTJD4001NT1G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы NVTJD4001NT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NVTJD4001NT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
ON Semiconductor
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
47227 шт - 4-6 недель
от 69 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 10

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1761 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 264
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1582 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 237
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1280 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 192
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
34 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1701 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
139 шт - 4-6 недель
от 1233 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
188 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1236 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
152 шт - 4-6 недель
от 1230 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 185
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1146 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 172