NVTJD4001NT1G от 74 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт, ON Semiconductor

NVTJD4001NT1G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	272mW
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	33pF @ 5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	272mW
Исполнение корпуса	SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	33pF @ 5V