NVMFS5C410NWFAFT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	3.9W (Ta), 166W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.92 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	3.9W (Ta), 166W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.92 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

NVMFS5C410NWFAFT1G

NVMFS5C410NWFAFT1G характеристики