NVMFS4C302NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	3.75W (Ta), 115W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	43A (Ta), 241A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5780pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN, 5 Leads
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Рассеивание мощности (Макс)	3.75W (Ta), 115W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	43A (Ta), 241A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15 mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5780pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G характеристики