NVMFD5C478NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W (Ta), 23W (Tc)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 7.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W (Ta), 23W (Tc)
Исполнение корпуса	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 7.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V

NVMFD5C478NT1G

NVMFD5C478NT1G характеристики