Каталог товаров
Назад

NVMFD5C470NLWFT1G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL


NVMFD5C470NLWFT1G характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 3W (Ta), 24W (Tc)
Исполнение корпуса 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerTDFN
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 3W (Ta), 24W (Tc)
Исполнение корпуса 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V

NVMFD5C470NLWFT1G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NVMFD5C470NLWFT1G по России

Транзисторы — полевые — массивы NVMFD5C470NLWFT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NVMFD5C470NLWFT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
262 шт.
от 1086 ₽
+ 81450 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1052 ₽
+ 78900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 764 ₽
+ 57300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 709 ₽
+ 53175 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 723 ₽
+ 108450 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
18 шт.
от 1327 ₽
+ 199050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 1041 ₽
+ 78075 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
15 шт.
от 659 ₽
+ 49425 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
50 шт.
42 шт.
от 1139 ₽
+ 170850 баллов
ALD210808PCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
50 шт.
50 шт.
от 826 ₽
+ 309750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
50 шт.
37 шт.
от 1130 ₽
+ 169500 баллов
ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
50 шт.
16 шт.
от 933 ₽
+ 349875 баллов