+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

NVMD6N04R2G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Отправить запрос


NVMD6N04R2G характеристики
Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -
Рассеивание мощности 1.29W
Исполнение корпуса 8-SOIC
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V

Характеристики
Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -
Рассеивание мощности 1.29W
Исполнение корпуса 8-SOIC
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V

NVMD6N04R2G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NVMD6N04R2G по России

Транзисторы — полевые — массивы NVMD6N04R2G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NVMD6N04R2G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
262 шт.
от 1087 ₽
+ 81525 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1052 ₽
+ 78900 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 764 ₽
+ 57300 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 709 ₽
+ 53175 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 723 ₽
+ 108450 баллов
Подробнее
ALD110800APCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
18 шт.
от 1327 ₽
+ 199050 баллов
Подробнее
ALD110900APAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 1041 ₽
+ 78075 баллов
Подробнее
ALD110900PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
15 шт.
от 659 ₽
+ 49425 баллов
Подробнее
ALD210800ASCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
50 шт.
42 шт.
от 1139 ₽
+ 170850 баллов
Подробнее
ALD210808PCL
ALD210808PCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
50 шт.
50 шт.
от 826 ₽
+ 309750 баллов
Подробнее
ALD212900APAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
50 шт.
37 шт.
от 1130 ₽
+ 169500 баллов
Подробнее
ALD212900ASAL
ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
50 шт.
16 шт.
от 933 ₽
+ 349875 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город