NVMD3P03R2G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	730mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	NTMD3P03
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.05A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 24V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	730mW
Исполнение корпуса	8-SOIC
Base Part Number	NTMD3P03
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.05A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750pF @ 24V

NVMD3P03R2G

NVMD3P03R2G характеристики