NVLUS4C12NTAG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	630mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-UDFN (2x2)
Рассеивание мощности (Макс)	630mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NVLUS4C12NTAG

NVLUS4C12NTAG характеристики