Каталог товаров
Назад

NVJD5121NT1G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
30
  • 10 шт
    30 ₽
  • 25 шт
    26 ₽
  • 100 шт
    23 ₽
  • 500 шт
    21 ₽
  • 3000 шт
    19.4 ₽
Добавить в корзину 10 шт на сумму 30
При покупке кэшбэк 45 баллов


NVJD5121NT1G характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 250mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V
  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 250mW
Исполнение корпуса SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V

NVJD5121NT1G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR

Бесплатная доставка NVJD5121NT1G по России

Транзисторы — полевые — массивы NVJD5121NT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NVJD5121NT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
262 шт.
от 1087 ₽
+ 81525 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1052 ₽
+ 78900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 764 ₽
+ 57300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 709 ₽
+ 53175 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 723 ₽
+ 108450 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
50 шт.
18 шт.
от 1327 ₽
+ 199050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 1041 ₽
+ 78075 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
15 шт.
от 659 ₽
+ 49425 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
50 шт.
42 шт.
от 1139 ₽
+ 170850 баллов
ALD210808PCL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
50 шт.
50 шт.
от 826 ₽
+ 309750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
50 шт.
37 шт.
от 1130 ₽
+ 169500 баллов
ALD212900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
50 шт.
16 шт.
от 933 ₽
+ 349875 баллов