NVF3055L108T1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±15V

NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G характеристики