NVDD5894NLT4G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.8W
Исполнение корпуса	D-Pak 5-Lead
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2103pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.8W
Исполнение корпуса	D-Pak 5-Lead
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2103pF @ 25V

NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G характеристики