NVD4804NT4G-VF01 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.43W (Ta), 107W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 30A, 11.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4490pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.43W (Ta), 107W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 30A, 11.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4490pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Vgs (Max)	±20V

NVD4804NT4G-VF01

NVD4804NT4G-VF01 характеристики