NVD3055L170T4G-VF01 характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 4.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 4.5A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	±15V

NVD3055L170T4G-VF01

NVD3055L170T4G-VF01 характеристики