NVC6S5A354PLZT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-CPH
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-CPH
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NVC6S5A354PLZT1G

NVC6S5A354PLZT1G характеристики