NVATS5A302PLZT4G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	ATPAK
Рассеивание мощности (Макс)	84W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	ATPAK
Рассеивание мощности (Макс)	84W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

NVATS5A302PLZT4G

NVATS5A302PLZT4G характеристики