NVA4001NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-75, SOT-416
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-75, SOT-416
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-75, SOT-416
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-75, SOT-416
Рассеивание мощности (Макс)	300mW (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 100µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±10V

NVA4001NT1G

NVA4001NT1G характеристики