Каталог товаров
Назад

NTZD5110NT5G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563


NTZD5110NT5G характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 250mW
Исполнение корпуса SOT-563
Base Part Number NTZD5110N
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 294mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24.5pF @ 20V

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 250mW
Исполнение корпуса SOT-563
Base Part Number NTZD5110N
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 294mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24.5pF @ 20V

NTZD5110NT5G

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
NTZD5110NT5G
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка NTZD5110NT5G по России

Транзисторы — полевые — массивы NTZD5110NT5G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NTZD5110NT5G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1094 ₽
+ 82050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 955 ₽
+ 71625 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 955 ₽
+ 71625 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 718 ₽
+ 53850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
312 шт.
от 1058 ₽
+ 79350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
56 шт.
от 952 ₽
+ 71400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
368 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 621 ₽
+ 46575 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
575 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
964 шт.
от 624 ₽
+ 46800 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
198 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
48 шт.
от 624 ₽
+ 46800 баллов