NTZD3154NT1G характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	NTZD3154N
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	540mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-563, SOT-666
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SOT-563
Base Part Number	NTZD3154N
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	540mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 16V

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G характеристики