NTTFS4821NTAG характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-WDFN (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 11.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1755pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-WDFN (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 11.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1755pF @ 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Vgs (Max)	±20V

NTTFS4821NTAG

NTTFS4821NTAG характеристики